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參數資料
| 型號： | IRF7343IPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | IRF7343IPBF |
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PD - 96088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7353D1PBF | FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode |
| IRF7379IPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7379PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7379QPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF737LCPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7343ITRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF7343PBF | 功能描述:MOSFET 55V DUAL N / P CH 20V VGS 55V BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7343QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7343QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7343QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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