- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360932 > IRF7341QTR TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7341QTR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| N溝道| 55V的五（巴西）直| 5.1AI（四）|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7341QTR |
IRF730AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.5A
3.5A
5.5A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7342D2 | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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