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參數資料
| 型號： | IRF7422D2PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY⑩MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | IRF7422D2PBF |
www.irf.com
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Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7422D2 | Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管) |
| IRF7424PBF | HEXFET Power MOSFET |
| irf7424 | Ultra Low On-Resistance |
| IRF7457PBF | General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP; with ADC Present |
| IRF7458PBF | SMPS MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7422D2TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7422D2TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7423TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7424 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRF7424 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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