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參數(shù)資料
型號(hào): IRF7434
文件頁(yè)數(shù): 3/10頁(yè)
文件大小: 149K
代理商: IRF7434
IRF7343
1
10
100
3
4
5
6
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
N-Channel
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
4.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
6.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
4.5V
4.5V
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF743FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
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IRF740AS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262
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IRF744L 功能描述:MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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