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參數資料
| 型號： | IRF7434 |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IRF7434 |
IRF7343
0
10
ID
20
30
40
0.040
0.060
0.080
0.100
0.120
R
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Fig 5.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 8.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
N-Channel
)
R
D
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
4.7A
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.1A
3.8A
4.7A
TOP
BOTTOM
0.030
0.050
0.070
0.090
0.110
0.130
2
4
6
8
10
12
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 4.7 A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF743FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF744PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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