- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299220 > IRF743 (HARRIS SEMICONDUCTOR) 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF743 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 196K |
| 代理商： | IRF743 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF842 | 7 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFD014 | 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFD211 | 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| IRFI644G | 7.9 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRFL214 | 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7433 | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7433 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| IRF7433.PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, SO-8 |
| IRF7433HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-Pin SOIC |
| IRF7433PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。