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參數資料
| 型號： | IRF7456 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.0065ohm，身份證\u003d 16A條） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | IRF7456 |
www.irf.com
1
4/20/00
IRF7456
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.0065
l
High Frequency DC-DC Converters
with Synchronous Rectification
Benefits
l
Ultra-Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Charge and Low Gate Impedance to
Reduce Switching Losses
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
20V
I
D
16A
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V Input Converters with Logic-Level Driven Synchronous Rectifiers
PD- 93840B
Notes
through
are on page 8
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.02 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
16
13
130
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
Parameter
Max.
50
Units
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRF7456TR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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| IRF7456TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 16A 6.5mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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