- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385442 > IRF7464PBF (International Rectifier) HEXET Power MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF7464PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | IRF7464PBF |
www.irf.com
1
9/21/04
IRF7464PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance
Including Effective C
OSS
to Simplify
Design, (See App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V input Forward Converter
Parameter
Max.
1.2
1.0
10
2.5
0.02
± 30
6.8
Units
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 8
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.73
I
D
1.2A
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7464 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) |
| IRF7465 | Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A) |
| IRF7466 | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) |
| IRF7467PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7467 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7464TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7464TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7465 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7465HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC |
| IRF7465PBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 280mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。