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參數資料
| 型號： | IRF7470PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | IRF7470PBF |
www.irf.com
1
IRF7470PbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
13m
V
DSS
40V
I
D
10A
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Notes
through are on page 8
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Linear Derating Factor 0.02 W/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
40
Units
V
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
± 12 V
10
8.5
85
2.5
1.6
A
W
W
-55 to + 150
°C
High Frequency DC-DC Converters
with Synchronous Rectification
Lead-Free
Applications
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7476PBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 12V , RDS(on) max = 8.0mヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A ) |
| IRF7478 | Power MOSFET(Vdss=60V) |
| IRF7484 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7495PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7495 | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7470PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7470TR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7470TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7470TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7471 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) |
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