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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7475PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | IRF7475PBF |
www.irf.com
1
09/21/04
IRF7475PbF
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
15m @V
GS
= 4.5V
Notes
through are on page 10
Benefits
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
High Frequency Point-of-Load
Synchronous Buck Converter for
Applications in Networking &
Computing Systems.
Lead-Free
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
-55 to + 150
2.5
1.6
0.02
Max.
12
11
7.0
88
± 12
V
DSS
12V
Qg
19nC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7476 | Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A) |
| IRF7478QPBF | SMPS MOSFET |
| IRF7484PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7493PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7501 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7475TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 12V 11A 15mOhm 13nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7476 | 功能描述:MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7476HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 15A 8-Pin SOIC |
| IRF7476PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7476PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:N |
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