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參數資料
| 型號： | IRF7493PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | IRF7493PBF |
www.irf.com
1
SO-8
Top View
8
1
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3
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5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
IRF7493PbF
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
15m @V
GS
=10V
Notes
through
are on page 9
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
80V
Qg (typ.)
35nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Lead
Junction-to-Ambient
Max.
80
9.3
7.4
74
2.5
1.6
± 20
-55 to + 150
0.02
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7501 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm) |
| IRF7503 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm) |
| IRF7504 | Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm) |
| IRF7506 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm) |
| IRF7507PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7493TR | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7493TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7494 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8 |
| IRF7494PBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7494TR | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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