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參數資料
| 型號： | IRF7492 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IRF7492 |
www.irf.com
1
IRF7492
HEXFET
Power MOSFET
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Max.
200
± 20
3.7
3.0
30
2.5
0.02
9.5
Units
V
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V/ns
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 8
PD - 94498
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
79
m
@V
GS
= 10V
I
D
3.7A
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
06/27/02
°C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7493 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7494 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7506PBF | HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm) |
| IRF7509PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7509TR | Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7492PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7492TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7492TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7493 | 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7493PBF | 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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