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參數資料
| 型號： | IRF7506PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的RDS（on）\u003d O.27ohm） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | IRF7506PBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7509PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7509TR | Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
| IRF7509 | Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
| IRF7523D1 | FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V) |
| IRF7526D1 | FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7506TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7506TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 1.7A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7507 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC MICRO-8 |
| IRF7507HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRF7507PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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