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參數(shù)資料
型號(hào): IRF840ASTRR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 8A條(丁)|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 3/10頁(yè)
文件大小: 129K
代理商: IRF840ASTRR
IRF840AS/L
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
7.4A
8.0
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF840F N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
IRF840LC
IRF841F N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
IRF842FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRF843FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF840ASTRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840B_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
IRF840BPBF 功能描述:MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
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