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參數(shù)資料
型號: IRF840B
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 60K
代理商: IRF840B
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Avalanche energy rated
IRF840
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance
g
fs
= f(I
D
); parameter T
j
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 4.25 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
2
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
PHP8N50
ID, Drain current (Amps)
VDS > ID x RDS(on)max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VGS(TO) / V
4
3
2
1
0
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
PHP8N50
ID, Drain current (A)
gfs, Transconductance (S)
Tj = 25 C
150 C
VDS > ID x RDS(on)max
0
1
2
VGS / V
3
4
ID / A
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
SUB-THRESHOLD CONDUCTION
typ
2 %
98 %
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
2
1
0
a
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
PHP8N50
VDS, Drain-Source voltage (Volts)
Junction capacitances (pF)
Ciss
Coss
Crss
March 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9130SMD05 P-Channel
IRFN9130SMD05 P-Channel
IRF9130SMD P-Channel Power MOSFET For HI-REL Application(Vdss:-100V,Id(cont):-8A,Rds(on):0.35Ω)(P溝道功率MOS場效應(yīng)管,HI-REL應(yīng)用(Vdss:-100V,Id(cont):-8A,Rds(on):0.35Ω))
IRF9130 P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9130 -12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF840B_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
IRF840BPBF 功能描述:MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
IRF840FI 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR
IRF840FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
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