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參數資料
| 型號： | IRF840S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）\u003d 0.85ohm，身份證\u003d 8.0A） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRF840S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840STRR | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
| IRF841 | TRANSISTORS N-CHANNEL |
| IRF841 | RES 100K-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
| IRF842 | TRANSISTORS N-CHANNEL |
| IRF843 | RES 1M-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF840SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840ST | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB |
| IRF840STR | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRF840STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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