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參數(shù)資料
型號(hào): IRF843
廠商: International Rectifier
英文描述: RES 1M-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
中文描述: 三極管N溝道
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 544K
代理商: IRF843
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF841 N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF842 N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF843 N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V
IRF9140 -100V,Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(-100V,通孔安裝抗輻射功率P溝道MOSFET)
IRF9540S HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF843FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRF843R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
IRF8513PBF 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8513TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8707GPBF 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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