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參數資料
| 型號： | IRF843 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET，8A條，450 V/500V |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 544K |
| 代理商： | IRF843 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9140 | -100V,Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(-100V,通孔安裝抗輻射功率P溝道MOSFET) |
| IRF9540S | HEXFET Power MOSFET |
| IRF9Z34L | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) |
| IRF9Z34S | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A) |
| IRF9Z34NL | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF843FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF843R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IRF8513PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8513TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8707GPBF | 功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 11.9mOhm 10V 6.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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