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參數資料
| 型號： | IRF8915 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFETPower MOSFET |
| 中文描述： | HEXFETPower MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IRF8915 |
www.irf.com
1
03/31/04
IRF8915
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
18.3m @V
GS
= 10V
Notes
through are on page 10
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
SO-8
Applications
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
62.5
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
-55 to + 150
2.0
1.3
0.016
Max.
20
8.9
7.1
71
± 20
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
V
DSS
20V
I
D
8.9A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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