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參數資料
型號: IRF9641
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 150伏五(巴西)直| 11A條(丁)| TO - 220AB現有
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代理商: IRF9641
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IRF9611 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-220AB
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IRF9910 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF9910HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC
IRF9910PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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