- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384493 > IRF9Z24N (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF9Z24N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.175ohm，身份證\u003d- 12A條） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | IRF9Z24N |
IRF9Z24N
HEXFET
Power MOSFET
PD -9.1484B
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
-12
-8.5
-48
45
0.30
± 20
96
-7.2
4.5
-5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
3.3
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
V
DSS
= -55V
R
DS(on)
= 0.175
I
D
= -12A
TO-220AB
l
Advanced Process Technology
l
Dynamic dv/dt Rating
l
175°C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
P-Channel
l
Fully Avalanche Rated
Description
8/27/97
S
D
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z24 | POWER MOSFET |
| IRF9Z24NL | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
| IRF9Z24NS | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
| IRFAC40 | Multipole Connector |
| IRFAC42 | 6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9Z24NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF9Z24NL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF9Z24NLPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF9Z24NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z24NS | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。