- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360941 > IRFB30N20D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFB30N20D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 30A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | IRFB30N20D |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
8.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.5V
0.1
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 175 C
°
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
30A
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFL5505 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
| IRFM010 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| IRFM014 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| IRFM014A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFB31N20 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
| IRFB31N20D | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 制造商:Distributed By MCM 功能描述:200V 31A 200W Gds Ir Hexfet TO-220Ab N-Ch |
| IRFB31N20DPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB3206GPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB3206PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。