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參數資料
| 型號： | IRFBC20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份證\u003d 2.2a在） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | IRFBC20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC30A | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) |
| IRFBC30S | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A) |
| IRFBC40L | CAP CER 1500PF 100V 20% X7R 0603 |
| IRFBC40S | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) |
| IRFBE30 | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFBC20L | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC20LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC20S | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC20S/LPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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