- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384494 > IRFBE30 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFBE30 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 800V的，的Rds（on）\u003d 3.0ohm，身份證\u003d 4.1a的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IRFBE30 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBG20 | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) |
| IRFBG30 | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A) |
| IRFBL3703 | Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters |
| IRFC2907B | HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form |
| IRFP2907 | HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFBE30L | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBE30LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBE30PBF | 功能描述:MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBE30S | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBE30SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。