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參數資料
| 型號： | IRFBG20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 1000V的的Rds（on）\u003d 11ohm，身份證\u003d 1.4A的） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | IRFBG20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRFBG20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBG22 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.2A I(D) | TO-220AB |
| IRFBG30 | 功能描述:MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBG30PBF | 功能描述:MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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