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參數資料
| 型號： | IRFBC20STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 2.2AI（四）|對263AB |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 391K |
| 代理商： | IRFBC20STRR |
IRFBC20S/L
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC30AL | 600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRFBC30ASTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA |
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| IRFBC30STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB |
| IRFBC30STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRFBC30AL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30ALPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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