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參數資料
| 型號： | IRFBL10N60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 11A條（丁）|對263VAR |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFBL10N60A |
IRFBL10N60A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
4.9A
7.5A
11A
TOP
BOTTOM
640
660
680
700
720
740
0
2
4
6
8
10
12
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBL12N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-263AA |
| IRFBL17N50L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL18N50K | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRFC044 | |
| IRFC1404 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFBL12N50A | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFBL17N50L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL18N50K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL3703 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters |
| IRFC014B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
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