- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360936 > IRFD012 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-250VAR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFD012 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五（巴西）直| 1.4AI（四）|對250VAR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | IRFD012 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD022 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD015 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
| IRFD025 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | DIP |
| IRFD111 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD014 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD015 | 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR |
| IRFD020 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。