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參數(shù)資料
型號: IRFD012
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | TO-250VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五(巴西)直| 1.4AI(四)|對250VAR
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 439K
代理商: IRFD012
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD020 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | TO-250VAR
IRFD022 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-250VAR
IRFD015 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP
IRFD025 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | DIP
IRFD111 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD014 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD014_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFD014PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD015 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR
IRFD020 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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