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參數(shù)資料
| 型號： | IRFD111 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直| 1A條（丁）|對250VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | IRFD111 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU020 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA |
| IRFU022 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-251AA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD111R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD112 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD112R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD113 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD113PBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CHANNEL 100-V - Tape and Reel |
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