型號: | IRFD113 |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 49K |
代理商: | IRFD113 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFD211 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD213 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD221 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA |
IRFD223 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD2Z1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRFD113PBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CHANNEL 100-V - Tape and Reel |
IRFD113PBF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:POWER MOSFET ;ROHS COMPLIANT: NO |
IRFD113R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD120 | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFD120PBF | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |