- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384494 > IRFD014 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFD014 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.20ohm，身份證\u003d 1.7A） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IRFD014 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD024 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) |
| IRFD110 | 1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFD110 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A) |
| IRFD1Z0 | 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD1Z1 | 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD015 | 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR |
| IRFD020 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。