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參數資料
| 型號： | IRFD112R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 800mA的一（d）|對250VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | IRFD112R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD113R | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFD120R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD121R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD122R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD123R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD113 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD113PBF | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CHANNEL 100-V - Tape and Reel |
| IRFD113PBF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:POWER MOSFET ;ROHS COMPLIANT: NO |
| IRFD113R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD120 | 功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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