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參數(shù)資料
型號: IRFD9015
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 910MA(丁)|雙酯
文件頁數(shù): 6/6頁
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代理商: IRFD9015
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PDF描述
IRFD9025 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP
IRFD9112 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
IRFD9123 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
IRFD9213 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR
IRFD9223 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD9020 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9020PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9022 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9024 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9024PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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