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參數(shù)資料
型號: IRFD9025
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直| 1.4AI(四)|雙酯
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 448K
代理商: IRFD9025
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PDF描述
IRFD9112 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
IRFD9123 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
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IRFD9223 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR
IRFE024 N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:60V,Id(cont):6.7A,Rds(on):0.15Ω))
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參數(shù)描述
IRFD9110 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9110PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9112 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
IRFD9113 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9120 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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