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參數資料
| 型號： | IRFD9022 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
| 中文描述： | 的HEXFET三極管P通道HEXDIP |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | IRFD9022 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9120 | 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET(1.0A, 100V, 0.6 Ω, P溝道功率MOS場效應管) |
| IRFD9220 | 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
| IRFD9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-0.56A) |
| IRFE120 | HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
| irfe430 | HEXFET TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFD9024 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9024PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9025 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP |
| IRFD9110 | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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