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參數(shù)資料
| 型號： | IRFI630A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 9A條（丁）|對262AA |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | IRFI630A |
IRFW/I634A
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI634A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.1A I(D) | TO-262AA |
| IRFW610A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB |
| IRFW614A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-263AB |
| IRFW630A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| IRFW640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFI630B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFI630BTLTU_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI630BTU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFI630BTU_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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