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參數資料
| 型號： | IRFIBE20G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | GT 19C 19#12 SKT RECP BOX |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 800V的，的Rds（on）\u003d 6.5ohm，身份證\u003d 1.4A的） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IRFIBE20G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIBF30G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) |
| IRFK3FC50 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
| IRFK3D054 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
| IRFK3D150 | Isolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
| IRFK3D250 | lsolated Base Power HEX-pak Assembly - Half Bridge Configuration |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFIBE20GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIBE30 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) |
| IRFIBE30G | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIBE30GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIBF20G | 功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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