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參數資料
型號: IRFIZ10
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 50V五(巴西)直| 10A條(丁)|對251VAR
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 135K
代理商: IRFIZ10
相關PDF資料
PDF描述
IRFIZ14 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251VAR
IRFIZ14A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA
IRFIZ30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR
IRFIZ34 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR
IRFIZ40 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-251VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFIZ14 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251VAR
IRFIZ14A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA
IRFIZ14G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIZ14G_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ14GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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