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參數資料
| 型號： | IRFL014NTR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRFL014NTR |
IRFL014N
www.irf.com
7
SOT-223
Package Outline
SOT-223 Part Marking Information
EXAMPLE : THIS IS AN IRFL014
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
W AFER
LOT CODE
XXXXXX
314
FL014
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL024NTR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223 |
| IRFL1006TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-223 |
| IRFL30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 |
| IRFB30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFL014NTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL014NTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 |
| IRFL014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL014TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL014TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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