- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360941 > IRFL024NTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFL024NTR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 4A條（丁）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRFL024NTR |
IRFL014N
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
V
G
A
I = 1.7A
V = 44V
V = 28V
V = 11V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL1006TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-223 |
| IRFL30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 |
| IRFB30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFL5505 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFL024NTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL024Z | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFL024ZPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL024ZTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRFL024ZTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。