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參數資料
| 型號： | IRFL024NTR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 4A條（丁）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRFL024NTR |
IRFL014N
6
www.irf.com
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 1.5A
2.7A
BOTTOM 3.4A
D
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL1006TR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | SOT-223 |
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| IRFB30N20D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
| IRFS30N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFL5505 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFL024NTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL024Z | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFL024ZPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFL024ZTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRFL024ZTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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