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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFMG40 |
| 英文描述： | 1000V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package |
| 中文描述： | 1000V單個(gè)N -溝道高可靠性MOSFET的采用TO - 254AA封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大小： | 475K |
| 代理商： | IRFMG40 |
www.irf.com
5
IRFMG40
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFMG40D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMG40U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMG50D | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMG50U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR |
| IRFN044SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFMG40D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMG40SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 3.9A 3PIN TO-254AA - Bulk |
| IRFMG40SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 3.9A 3PIN TO-254AA - Bulk |
| IRFMG40U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMG50 | 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3PIN TO-254AA - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Current Rating:5.6A, Leaded Process Compatible:No, Package / Case:TO-254 |
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