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參數(shù)資料
型號(hào): IRFMG40D
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 3.9AI(四)|對(duì)254VAR
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 475K
代理商: IRFMG40D
IRFMG40
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
13a & b
ID =3.9A
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PDF描述
IRFMG40U TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-254VAR
IRFMG50D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR
IRFMG50U TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR
IRFN044SMD N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω))
IRFN044 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A)
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參數(shù)描述
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