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參數資料
| 型號： | IRFP250B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 32 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | IRFP250B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP254N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) |
| IRFP260 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
| IRFP260 | Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
| IRFP260N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRFP264N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFP250B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP250B_FP001_Q | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP250MPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP250N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IRFP250NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 30A 3PIN TO-247AC - Rail/Tube |
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