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參數資料
型號: IRFP448
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 168K
代理商: IRFP448
相關PDF資料
PDF描述
IRFP450 N-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.40Ω的N溝道增強型標準功率MOSFET)
IRFP460A Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460N Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.24ohm, Id=20A)
IRFP460P Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
IRFP460 N-Channel Enhancement Mode MegaMOS Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導通電阻0.27Ω的N溝道增強型MegaMOS功率MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFP448PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP449 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | TO-247AC
IRFP450 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450_R4943 功能描述:MOSFET TO-247 N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP450A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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