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參數(shù)資料
型號: IRFPC50LC
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds(on)\u003d 0.60ohm,身份證\u003d 11A條)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 164K
代理商: IRFPC50LC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPC60 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
IRFPC60LC Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
IRFPG30 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
IRFPG40 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)
IRFPG40 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPC50LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC50PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC60 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC60LC 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPC60LC-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AC
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