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參數(shù)資料
型號: IRFPG40
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 1000V的的Rds(on)\u003d 3.5ohm,身份證\u003d 4.3A)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 167K
代理商: IRFPG40
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPG40 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFPG50 Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
IRFPS37N50A N-Channel SMPS MOSFET(N溝道 開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFPS37N50 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A)
IRFPS43N50K SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPG40PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG42 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFPG50 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG50PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPG50PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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