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參數資料
| 型號： | IRFPS37N50 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.13ohm，身份證\u003d 36A條） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFPS37N50 |
Parameter
Max.
36
23
144
446
3.6
± 30
3.5
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
Absolute Maximum Ratings
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
High Speed Power Switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss Specified (See AN
1001)
Applications
V
DSS
500V
R
DS(on)
max
0.13
I
D
36A
Typical SMPS Topologies
l
Full Bridge Converters
l
Power Factor Correction Boost
Notes
through
are on page 8
www.irf.com
IRFPS37N50A
1
12/14/99
SUPER-247
PD- 91822C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPS43N50K | SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管) |
| IRFPS43N50 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A) |
| IRFPS60N50C | SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管) |
| IRFR220N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A) |
| IRFU220N | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFPS37N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS37N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 36 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPS3810 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFPS3810HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA |
| IRFPS3810PBF | 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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