- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360945 > IRFR3303TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFR3303TRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第33A條（?。﹟對252AA |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | IRFR3303TRL |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 16. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRFR320, IRFU320
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3303TRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA |
| IRFU320A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA |
| IRFU322 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA |
| IRFR421 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA |
| IRFR422 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR3303TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRFR3303TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR3303TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR3303TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3303TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 33A, 31 MOHM, 19.3 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。