- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384497 > IRFR3704 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFR3704 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.5mohm，身份證\u003d 75A條） |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IRFR3704 |
www.irf.com
1
8/22/00
IRFR3704
IRFU3704
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.5m
Benefits
V
DSS
20V
I
D
75A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 70
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25
°
C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 70
°
C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 mW/
°
C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
75
63
300
90
62
A
W
W
-55 to + 175
°
C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D-Pak I-Pak
IRFR3704 IRFU3704
Ultra-Low R
DS(on)
Very Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Notes
through are on page 9
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Applications
PD - 93887B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| IRFR3706CPBF | SMPS MOSFET |
| IRFU3706CPbF | SMPS MOSFET |
| IRFR3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR3704HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 75A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR3704PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR3704TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3704TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR3704TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 62A 9.5mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。